长鑫科技官宣4F2 DRAM架构研发取得关键进展，美光、三星业绩同步爆表，机构预计存储芯片行业的高景气度有望延续。
长鑫4F2架构年底落地
10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行，长鑫科技总裁曹堪宇在演讲中全面介绍了公司在DRAM器件、4F2架构及混合键合等方向的技术探索，并官宣4F2 DRAM架构研发取得关键进展，预计年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
据曹堪宇介绍，长鑫4F2架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的底层创新，即自研的VSG（垂直包围沟道结构）晶体管，可实现更强的栅控能力，解决漏电与短沟道效应痛点，竖立的晶体管形态也助力芯片面积微缩。
值得一提的是，长鑫科技技术突破动作不断。8月，公司宣布最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并实现全球LPDDR6产品首次落地商用；9月20日，第五代DRAM技术平台（G5）宣布量产，通过四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。
此外，海外存储大厂业绩同频共振。美光近日公布2026财年第四财季业绩，营收达542.29亿美元，同比大增379%，连续第六个季度创下营收纪录。公司CEO表示，2027年和2028年的内存及存储供需状况将明显紧于2026年。
三星电子发布的2026年第三季度初步业绩显示，公司单季营业利润约107.4万亿韩元，同比大增782.5%，史上首次突破100万亿韩元大关。
存储超级周期有望延续
存储芯片是以半导体介质保存数据的集成电路，主要包括DRAM、NAND Flash及NOR Flash等类别，其中DRAM是当前计算系统中最重要的系统内存。
据Omdia预计，全球DRAM市场规模将由2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，2025年至2030年复合增速约30.56%；同期服务器DRAM需求占比预计由约50%提升至71%，成为行业需求增长的核心来源。
国盛证券最新研报指出，原厂将先进制程和资本开支重点投向服务器、高容量及高附加值产品，但新建洁净室、技术升级和产能爬坡均需要较长时间，短期供给增量难以完全匹配AI服务器需求增长。HBM产品升级、数据中心SSD放量及长期客户协议有望进一步强化存储行业景气度，看好相关产业链机会。
国联民生证券也表示，持续看好本轮存储超级周期。该机构认为，AI需求高景气、供给约束强化、长协锁定盈利、股东回报提升共同推动盈利中枢上移。DRAM和NAND价格在高基数下仍有望延续上涨，价格上涨持续性明显强于传统周期。当前仍处于超级周期盈利预期上修阶段，持续看好存储产业链。
机构紧盯多只超跌概念股
东方财富概念板块显示，目前A股市场有143股涉及存储芯片概念，合计总市值超10万亿元。长鑫科技、中芯国际、北方华创体量位居前三，华虹宏力、中微公司、澜起科技等多股市值均超2000亿元。
从资金角度看，东方财富Choice数据显示，近一个月，共有35只存储芯片概念股获融资客逆势押注，其中，华天科技获杠杆资金加仓1.97亿元，康强电子、先导基电分别获抢筹1.58亿、1.41亿元，富满微、中京电子、长川科技等5股亦获超1亿元融资净买入。
市场表现方面，年初至今，存储芯片概念冲高回落，尤其三季度以来，板块回撤明显，多达77只概念股最新价较区间最高价跌幅超40%，臻宝科技、德明利、佰维存储、江波龙等7股回撤幅度均在60%以上。
值得注意的是，上述超跌存储芯片概念股中，有9股同期获得3次及以上机构调研。
其中，华润微三季度以来被调研总次数达13次，立昂微获10次机构调研，鼎龙股份、东芯股份分别获8次、6次调研，澜起科技、安集科技被调研次数均为4次。
兆易创新是国内领先的Fabless存储器供应商，持有长鑫科技股份，双方形成“设计+制造”深度绑定，公司近日已将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元。
澜起科技是内存互连芯片龙头配资安全炒股配资门户，公司于9月底宣布，其DDR5第五子代寄存时钟驱动器芯片（RCD05）已实现量产，该产品面向高性能DDR5 RDIMM内存模组。
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